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            廣州貝拓科學(xué)技術(shù)有限公司

            PRODUCT DISPLAY

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            FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

            參  考  價(jià):面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

            產(chǎn)品型號(hào):

            品       牌:其他品牌

            廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

            所  在  地:廣州市

            更新時(shí)間:2024-07-18 11:46:51瀏覽次數(shù):3007次

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            FEI “Q系列"掃描電子顯微鏡
            是較經(jīng)濟(jì)、高效的高分辨成像和分析應(yīng)用的解決方案。在設(shè)計(jì)上側(cè)重易用性、Q25可以讓用戶迅速得到他們所需的數(shù)據(jù)。

            FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

            對(duì)于失效分析、質(zhì)量控制和材料表征而言、Q25是最經(jīng)濟(jì)、高效的高分辨成像和分析應(yīng)用的解決方案。在設(shè)計(jì)上側(cè)重易用性、Q25可以讓用戶迅速得到他們所需的數(shù)據(jù)。 

            為應(yīng)對(duì)不導(dǎo)電樣品、Q25提供了低真空模式下的高性能、消除了對(duì)的樣品制備步驟或者附加的樣品鍍膜儀的需求。Q25樣品室的設(shè)計(jì)和真空系統(tǒng)能夠快速更換樣品、允許日常高效、快速檢測(cè)樣品。 

            為滿足客戶對(duì)大樣品或塊狀樣品的要求、Q45提供了更大的真空樣品室和100mm的樣品臺(tái)行程。另外、Q45加上了環(huán)境掃描(ESEM)模式、擴(kuò)展了SEM的成像和分析功能到加熱、含水或放氣的樣品。

             簡(jiǎn)單易用,即使是新手利用直觀的軟件可實(shí)現(xiàn)高效操作。 
             利用穩(wěn)定的高束流(上至2 μA)電子束可以迅速獲得精確的分析結(jié)果。 
            快速輕松表征導(dǎo)電和非導(dǎo)電樣品 
             支持可選的分析功能。利用獨(dú)有的多級(jí)穿過(guò)透鏡的真空系統(tǒng)在高真空和低真空下使導(dǎo)電樣品和不導(dǎo)電樣品的精確EDS分析成為可能。 
            Q45 SEM: 采用為ESEM選配的帕爾貼冷臺(tái)可在樣品的自然含水狀態(tài)下完成樣品的動(dòng)態(tài)原位分析。

            FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

             分辨率加速
            電壓
            探針電流 樣品臺(tái)放大率試件室尺寸
            Q25 SEM

            High vacuum 

            • 3.0 nm at 30 kV (SE)

            • 4.0 nm at 30 kV (BSE)*

            • 8.0 nm at 3 kV (SE)

            Low vacuum

            • 3.0 nm at 30 kV (SE)

            • 4.0 nm at 30k V (BSE)*

            • 10 nm at 3 kV (SE)

            *optional

            200 V - 30 kVup to 2 μA, continuously adjusted13 to 1000000x284 mm size left to right
            Q45 SEM

            High vacuum 

            • 3.0 nm at 30 kV (SE)

            • 4.0 nm at 30 kV (BSE)*

            • 8.0 nm at 3 kV (SE)

            High vacuum with beam deceleration option 7.0 nm at 3 kV(BD mode* + vCD*) 

            Low vacuum

            • 3.0 nm at 30 kV (SE)

            • 4.0 nm at 30k V (BSE)*

            • 10 nm at 3 kV (SE)

            Extended vacuum mode (ESEM)
            3.0 nm at 30 kV (SE) 

            *optional

            200 V - 30 kVup to 2 μA, continuously adjusted6 to 1000000x284 mm size left to right
             

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